Equivalência de

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Ref.	Equiv.	Aplic.	PAR
T3 Diodo Varicap Sintonia UHF - SHF (2,7mm)	=1SV186 Eur: Jap: Usa: Rus:	=1SV186	HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
T3 Diodo Varicap Sintonia UHF-SHF / SMD (1,7mm)	=1SV245 Eur: Jap: Usa: Rus:	=1SV245	HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
T3 Diodo Varicap SMD	=HVM16 Eur: Jap: Usa: Rus:	=HVM 16	HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
T3 PNP Silicio SMD	=BSS63 Eur: Jap: Usa: Rus:	=BSS 63	HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
T3 FET Canal N SMD	=2SK242 Eur: Jap: Usa: Rus:	=2SK242-T3	HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
T3 FET Canal N SMD (2mm)	=2SK1065 Eur: Jap: Usa: Rus:	=2SK1065-3	HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
T3,5N/400..800F.. Tiristor Uso diverso	TAG 661-..., TAG 662-..., TAG 666-... Eur: Jap: Usa: Rus:	400..800V, 5A(Tc=72°C),Igt/Ih<10/<25mA	HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
T30E45FZ Darlington NPN Silicio + Diodo Chaveamento / potência	- Eur: Jap: Usa: Rus:	500/450V, 50A, 300W, B>100	HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
T30E45FZ Darlington NPN Silicio + Diodo Chaveamento / potência	- Eur: Jap: Usa: Rus:	500/450V, 30A, 300W, B>100	HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
T30F/100...900C.. Tiristor Uso diverso	- Eur: Jap: Usa: Rus:	100..900V, 30A, Igt/Ih<100/20mA, <15µs	HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ: