Equivalência de

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Ref.	Equiv.	Aplic.	ucb	uce	ueb	PAR
16159 Diodo Silicio Uso diverso	=D2103SF Eur: Jap: Usa: Rus:	=D 2103SF				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
16207B NPN Silicio Uso diverso	=BD241A,B Eur: BD241B Jap: 2SC483 Usa: 2N6292 Rus: KT817G	=BD 241A,B				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
16305 NPN Silicio Audio / potência	=BD243C Eur: BD243C Jap: Usa: 2N6488 Rus: KT819G	=BD 243C	115V	100V	5V	HFE:40MIN Pc:65W I_c:6A F_t:3MHz CC:- TJ:150>C
16306 PNP Silicio Audio / potência	=BD244C Eur: BD244C Jap: 2SA663 Usa: 2N6491 Rus: KT818G	=BD 244C	115V	100V	5V	HFE:80MIN Pc:65W I_c:6A F_t:3MHz CC:- TJ:150>C
16315 NPN Silicio Uso diverso	=BD595 Eur: BD595 Jap: Usa: 2N6101 Rus: KT819B	=BD 595	45V	45V	5V	HFE:25MIN Pc:55W I_c:8A F_t:3MHz CC:- TJ:150>C
16316 PNP Silicio Uso diverso	=BD596 Eur: BD596 Jap: Usa: 2N6134 Rus: KT818B	=BD 596	45V	45V	5V	HFE:25MIN Pc:55W I_c:8A F_t:3MHz CC:- TJ:150>C
16317 NPN Silicio Audio / potência	=BD245A Eur: BD245A Jap: Usa: 2N6488 Rus: KT819G	=BD 245A	70V	60V	5V	HFE:40MIN Pc:80W I_c:15A F_t:3MHz CC:- TJ:150>C
16318 PNP Silicio Audio / potência	=BD246A Eur: BD246A Jap: Usa: 2N6488 Rus: KT819G	=BD 246A	70V	60V	5V	HFE:40MIN Pc:80W I_c:15A F_t:3MHz CC:- TJ:150>C
16410 Tiristor Estágio horizontal - TV	=S3703SF Eur: Jap: Usa: Rus:	=S 3703SF				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
16411 Tiristor Estágio horizontal - TV	=S3702S Eur: Jap: Usa: Rus:	=S 3702S				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ: