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Ref.	Equiv.	Aplic.	ucb	uce	ueb	PAR
TN2102 NPN Silicio Audio / chaveamento	2SC4134, 2SD1074...1075 Eur: BSW67 Jap: Usa: 2N21O2 Rus:	=2N2102, 2W(Tc=25°)	120V	65V	7V	HFE:40/120 Pc:1.2W I_c:1A F_t:60MHz CC:15 TJ:150>C
TN2218A NPN Silicio Uso geral	2SD1733 Eur: BSW54 Jap: Usa: 2N2219A Rus: KT928B	=2N2218(A)				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
TN2219A NPN Silicio Uso geral	2SD1733 Eur: BSW54 Jap: Usa: 2N3444 Rus: KT928B	=2N2219(A), 2W(Tc=25°)				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
TN2219[Nsc1996] NPN Silicio Uso geral	2SD1292 Eur: Jap: Usa: Rus:	=2N2219(A), 1W(Ta=25°C)				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
TN2270 NPN Silicio Audio / chaveamento	2SD1733 Eur: Jap: Usa: Rus:	=2N2270	60V	45V	7V	HFE:50/200 Pc:- I_c:500mA F_t:100MHz CC:15 TJ:150>C
TN2410L MOS FET Canal N Uso diverso	BSS89, BSN 254 Eur: Jap: Usa: Rus:	240V, 0,18A, <10Ohm(0,2A)				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
TN2460L MOS FET Canal N Uso diverso	BS109, BSS101 Eur: Jap: Usa: Rus:	240V, 75mA, <60Ohm(50mA)				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
TN2460T MOS FET Canal N SMD	BSS131 Eur: Jap: Usa: Rus:	=TN 2460L, SMD				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
TN2904A PNP Silicio Uso diverso	2SB1181 Eur: BFX30 Jap: Usa: 2N4030 Rus: KT661A	=2N2904(A)				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
TN2905A PNP Silicio Uso diverso	2SB1181 Eur: BFX30 Jap: Usa: 2N4030 Rus: KT661A	=2N2905(A), 2W(Tc=25°)				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ: