Equivalência de

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Ref.	Equiv.	Aplic.	ucb	uce	ueb	PAR
16488 Tiristor Uso diverso	=TAG 626/600 Eur: Jap: Usa: Rus:	=TAG 626/600				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
16490 Tiristor Estágio horizontal - TV	=S3703SF Eur: Jap: Usa: Rus:	=S 3703SF				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
16491 Tiristor Estágio horizontal - TV	=S3702S Eur: Jap: Usa: Rus:	=S 3702S				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
16492 Diodo Silicio Uso diverso	=D2103SF Eur: Jap: Usa: Rus:	=D 2103SF				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
16493 Diodo Silicio Diodo Damper p/ TV	=D2103S Eur: Jap: Usa: Rus:	=D 2103S				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
16503 NPN Silicio Uso diverso	=2N3055 Eur: BDY20 Jap: 2SC684 Usa: 2N3055 Rus: KT819GM	=2N3055	100V	70V	7V	HFE:60/120 Pc:117W I_c:15A F_t:800KHz CC:- TJ:200>C
16562 NPN Silicio Audio / chaveamento / estágios de potência	=2N5298 Eur: BDX72 Jap: Usa: 2N5298 Rus: KT805AM	=2N5298	80V	60V	5V	HFE:30/120 Pc:36W I_c:7A F_t:800KHz CC:- TJ:150>C
16563 PNP Silicio Audio / chaveamento / estágios de potência	=2N6107 Eur: BDX78 Jap: Usa: 2N6107 Rus: KT818B	=2N6107	80V	70V	5V	HFE:30/150 Pc:40W I_c:7A F_t:500KHz CC:- TJ:150>C
16606 NPN Silicio Audio / potência	=BD809 Eur: BD809 Jap: 2SC684 Usa: 2N6101 Rus: KT819GM	=BD 809	80V	80V	5V	HFE:30MIN Pc:90W I_c:10A F_t:1.5MHz CC:- TJ:150>C
1664 NPN Silicio Uso diverso	=2N3055 Eur: BDY20 Jap: 2SC684 Usa: 2N3055 Rus: KT819GM	=2N3055	100V	70V	7V	HFE:20/70 Pc:117W I_c:15A F_t:800KHz CC:- TJ:200>C