Equivalência de

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Ref.	Equiv.	Aplic.	ucb	uce	ueb	PAR
184T2 NPN Silicio Audio / chaveamento / estágios de potência	=BDY 27 Eur: BDY27 Jap: Usa: Rus:	=BDY 27	400V	200V	10V	HFE:30/90 Pc:87W I_c:6A F_t:10MHz CC:- TJ:200>C
185T2 NPN Silicio Audio / chaveamento / estágios de potência	=BDY 28 Eur: BDY28 Jap: Usa: Rus:	=BDY 28	500V	250V	10V	HFE:75/180 Pc:87W I_c:6A F_t:10MHz CC:- TJ:200>C
18B Diodo Zener Estabilizador de tensão (5mm)	=HZF18BP Eur: Jap: Usa: Rus:	=HZF 18BP				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
18C Diodo Zener Estabilizador de tensão (5mm)	=HZF18CP Eur: Jap: Usa: Rus:	=HZF 18CP				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
18Y Diodo Zener SMD	=BZV49/C18 Eur: Jap: Usa: Rus:	=BZV 49/C18				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
19 FET Canal N SMD	=SST109 Eur: Jap: Usa: Rus:	=SST 109				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
193DT2 NPN Silicio Audio / chaveamento / estágios de potência	BD245F, 2SC1586, 2SD552, 2SD583 Eur: BD245F Jap: Usa: Rus:	210V, 10A, 85W, >5MHz	210V	-	-	HFE:40/80 Pc:85W I_c:10A F_t:5MHz CC:- TJ:150>C
194 PNP Silicio Amplificador UHF / SMD	=BFQ 194 Eur: Jap: Usa: Rus:	=BFQ 194				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
196 NPN Silicio Uso diverso	=BFQ 196 Eur: Jap: Usa: Rus:	=BFQ 196				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ:
1A Diodo Silicio SMD (1,7mm)	=MA110 Eur: Jap: Usa: Rus:	=MA 110				HFE: Pc: I_c: F_t: CC:0 TJ: